1N6631

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N6631 *S
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
153
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N6631
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
64092
Microchip Technology
A, Axial
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6631 *S
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
153
MSC
-
公司现货,只做原装！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 1KV 4A 2PIN E - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

1N6631 技术参数

1N6630US 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6630 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:990V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 990V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6629US 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 880V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6629 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 电流 - 平均整流（Io）:1.4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 880V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6628US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643 1N6643US 1N6657 1N6657R