1PMT47H64M16HR37EE

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1PMT47H64M16HR37EE
深圳市华芯盛世科技有限公司
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856420
MICRON
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1PMT47H64M16HR37EE 技术参数

1PMT4627E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 1PMT4627E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 1PMT4627CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 1PMT4627CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 1PMT4627C/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 1PMT5914/TR7 1PMT5914A/TR13 1PMT5914A/TR7 1PMT5914AE3/TR13 1PMT5914AE3/TR7 1PMT5914B/TR13 1PMT5914B/TR7 1PMT5914BE3/TR13 1PMT5914BE3/TR7 1PMT5914C/TR13 1PMT5914C/TR7 1PMT5914CE3/TR13 1PMT5914CE3/TR7 1PMT5914E3/TR13 1PMT5914E3/TR7 1PMT5915/TR13 1PMT5915/TR7 1PMT5915A/TR13