1SS319TE85L

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1SS319TE85LF
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
TOSHIBA
SMQ
2025+
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1SS319TE85L 技术参数

1SS319(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SC-61B 标准包装:1 1SS315TPH3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:5V 电流 - 最大值:30mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SS309(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:4 共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标准包装:1 1SS308(TE85L,F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:4 共阳极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SC-74A，5 迷你型塑模标准包装:1 1SS307E,L3F 功能描述:DIODE SW GP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SC-79 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F)