1SS361,LJ(CT全国供应商【买卖IC网】1SS361,LJ(CT资料|PDF Datasheet|价格

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说明
操作

1SS361,LJ(CT
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
TOSHIBA
SSM
2025+
-

1SS361,LJ(CT
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
200
TOSHIBA
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

1SS361,LJ(CT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

1SS361,LJ(CT
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
TOSHIBA
con
24+
-
二极管

1SS361,LJ(CT
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
95243
Toshiba Semiconductor and
SC-75, SOT-416
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1SS361,LJ(CT
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
34740
Toshiba Semiconductor and
SC-75, SOT-416
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1SS361,LJ(CT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

1SS361,LJ(CT
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2300
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

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1

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功能描述
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
二极管配置
1 对共阴极
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
80V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）
100mA
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.2V @ 100mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）
4ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
500nA @ 80V
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-75，SOT-416
供应商器件封装
SSM
标准包装
1

1SS361,LJ(CT 技术参数

1SS360(T5L,F,T) 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管配置:1 对共阳极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 1SS356TW11 功能描述:DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:35V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:200mW 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 标准包装:1 1SS355WTE-17 1SS355VMTE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 1SS355-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1SS370TE85LF 1SS374(TE85L,F) 1SS375-TL-E 1SS378(TE85L,F) 1SS379,LF 1SS380TE-17 1SS381,L3F 1SS382TE85LF 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61

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