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1SV305TL3FT

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1SV305TL3FT
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
8960
Toshiba
SOD-523-2
25+
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功能描述
变容二极管 VARICAP DIODE
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
电容
5.2 pF
反向电压
10 V
正向连续电流
20 mA
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-79
封装
Reel

1SV305TL3FT 技术参数

1SV305,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:6.6pF @ 4V，1MHz 电容比:3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV304TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:6.6pF @ 4V，1MHz 电容比:3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV285TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:2.35pF @ 4V，1MHz 电容比:2.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV282TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 25V，1MHz 电容比:12.5 电容比条件:C2/C25 电压 - 峰值反向（最大值）:34V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV281TH3FT 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产不同?Vr，F 时的电容:8.7pF @ 4V，1MHz 电容比:2 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG 1SX250LH2F55I2VG 1SX250LH3F55E1VG 1SX250LH3F55E2LG 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG