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2N3053A

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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    联系人:彭先生

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    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:曹先生

    电话:13487865852

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:周小姐/高先生

    电话:1376027201718520805148

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 96783

  • Central Semiconductor

  • TO-39-3

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  • 2N3053A
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • BIPOLAR TRANSISTOR NPN 60V TO-39
  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • TRANSISTORNPN0.7A60VTO39
  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • TRANSISTOR,NPN,0.7A,60V,TO39
  • 制造商
  • CENTRAL SEMICONDUCTOR
  • 功能描述
  • 2N Series 60 V 700 mA NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-39
  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-39; Transistor Polarity
2N3053A 技术参数
  • 2N3053 功能描述:TRANS NPN 40V 0.7A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3019S 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N3019 功能描述:TRANS NPN 80V 1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3014 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):300nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,400mV 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC,TO-52-3,金属罐 供应商器件封装:TO-52-3 基本零件编号:2N3014 标准包装:250 2N3013 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):300nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 30mA,400mV 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:350MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 基本零件编号:2N3013 标准包装:250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2 2N336 2N336A
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