配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N3669PRX
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
mot
22+
-
行业低价，代理渠道

2N3669
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
16320
ON
TO-3
23+
-
全新原装现货热卖

2N3669
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
CENTRAL
TO-3
22+
-
全新原装现货供应

2N3669
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3
25+
-
国产品牌，替代进口

2N3669
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CENTRAL
TO-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N3669
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Central Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

2N3669
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
CENTRAL SEMICONDUCTOR
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

2N3669
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3115
CENTRAL
TO-3
2227+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1/1页 40条/页共13条
1

您是不是要找： 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704

2N3669 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N3669 PDF下载

功能描述
SCR 16A 200V Scr
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大转折电流 IBO
480 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
开启状态 RMS 电流 (It RMS)
正向电压下降
1.6 V
栅触发电压 (Vgt)
1.3 V
最大栅极峰值反向电压
5 V
栅触发电流 (Igt)
35 mA
保持电流（Ih 最大值）
75 mA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube

2N3669 技术参数

2N3663 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:2.1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz 增益:1.5dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 8mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3637UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N3637L 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3637 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3636UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:3-SMD 标准包装:1 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707 2N3708 2N3711 2N3715 2N3716 2N3724 2N3724L 2N3724UB 2N3725 2N3725L 2N3725UB 2N3726 2N3727 2N3735