配单专家企业名单

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说明
操作

2N5656
优势
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
TO-126
2025+
-
国产品牌，可替代原装

2N5656
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ON
TO126
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N5656
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
885000
YXYBDT台湾
TO-126
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

2N56565
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
Teccor/Littelfuse
TO-92
06+
-

2N56565
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
Teccor/Littelfuse
TO-92
06+
-
全新原装100%正品保证质量

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制造商
ISC
制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述
Silicon NPN Power Transistors

2N5656 技术参数

2N5655G 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5655 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:1,000 2N5639G 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:1,000 2N5639_D75Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z 2N5770_D75Z 2N5771