2SA1593S-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SA1593S-TL-E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
ONSEMI
2025+
-

2SA1593S-TL-E
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT252
22+
-
全新原装现货供应

2SA1593S-TL-E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
90462
onsemi
TO-252-3, DPak (2 Le
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SA1593S-TL-E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
93381
ON Semiconductor
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SA1593S-TL-E 技术参数

2SA1593S-E 功能描述:TRANS PNP 100V 2A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SA1588-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SA1588-O,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SA1588-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SA1587-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SA1673 2SA16740SA 2SA1680(F,M) 2SA1680(T6DNSO,F,M 2SA1680,F(J 2SA1680,T6ASTIF(J 2SA1680,T6F(J 2SA1680,T6SCMDF(J 2SA1693 2SA1694 2SA1695 2SA1705S-AN 2SA1705T-AN 2SA1706S-AN 2SA1706T-AN 2SA1707S-AN 2SA1707T-AN 2SA1708S-AN