2SA1943N(S1,E,S)

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SA1943N(S1,E,S)
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TOSHIBA/东芝
TO-3P
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

2SA1943N(S1,E,S)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SA1943N(S1,E,S)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SA1943N(S1,E,S)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
121
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

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1

您是不是要找： 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU 2SA1943RTU 2SA1952TLQ 2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954BTE85LF 2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z 2SA1962-O(Q)

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功能描述
TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
15A
电压 - 集射极击穿（最大值）
230V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）
5μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
80 @ 1A，5V
功率 - 最大值
150W
频率 - 跃迁
30MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P（N）
标准包装
150

2SA1943N(S1,E,S) 技术参数

2SA1931,SINFQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1931,Q(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1931,NSEIKIQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1931,NIKKIQ(J 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1931,NETQ(M 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G