2SB1216T-TL-E全国供应商 2SB1216T-TL-E资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SB1216T-TL-E
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT252
22+
-
全新原装现货供应

2SB1216T-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
三洋
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SB1216T-TL-E
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
9100
三洋
TO-252
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

2SB1216T-TL-E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
86182
onsemi
TO-252-3, DPak (2 Le
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SB1216T-TL-E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
41159
ON Semiconductor
TO-252-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SB1216T-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT-252
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 100V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SB1216T-TL-E 技术参数

2SB1216T-H 功能描述:TRANS PNP 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1216T-E 功能描述:TRANS PNP 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1216S-TL-H 功能描述:TRANS PNP 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SB1216S-TL-E 功能描述:TRANS PNP 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SB1216S-H 功能描述:TRANS PNP 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB12190RL 2SB1219ASL 2SB1219GSL 2SB12200RL 2SB1220GRL 2SB12210QA 2SB1236ATV2P 2SB1236ATV2Q 2SB1236TV2Q 2SB1236TV2R 2SB1237TV2P 2SB1237TV2Q 2SB1237TV2R 2SB1238TV2P 2SB1238TV2Q 2SB1238TV2R 2SB1239TV2 2SB1240TV2P