2SB1463JRL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SB1463JRL
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
77150
Panasonic Electronic Comp
SC-89, SOT-490
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 2SB1474TL 2SB1481(TOJS,Q,M) 2SB14880PA 2SB1495,Q(J 2SB1495,Q(M 2SB15040QA 2SB15040RA 2SB1548AP 2SB1559

2SB1463JRL PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SB1463JRL PDF下载

功能描述
TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列
-
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
Digi-Reel®
其它名称
MMBT489LT1GOSDKR

2SB1463JRL 技术参数

2SB1463GRL 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SB1462J0L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A SS-MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SB1462G0L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SB1457,T6YMEF(M 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SB1457,T6TOTOF(J 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SB1560 2SB1561T100Q 2SB1565FU6E 2SB1570 2SB157400L 2SB1580T100 2SB1587 2SB1588 2SB158900L 2SB1590KT146Q 2SB15920RA 2SB15990QL 2SB15990RL 2SB1623AP 2SB1647 2SB1648 2SB1649 2SB167900L