2SC6026MFVGR,L3F

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SC6026MFVGR,L3F(T
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
5200000
TOSHIBA/东芝
SOT-723-3
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

2SC6026MFVGR,L3F
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
TOSHIBA
VESM
2025+
-

2SC6026MFVGR,L3F
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SC6026MFVGR,L3F
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SC6026MFVGR,L3F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

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您是不是要找： 2SC603600L 2SC6036G0L 2SC6037J0L 2SC6040(TPF2,Q,M) 2SC6040,T2Q(J 2SC6042,T2HOSH1Q(J 2SC6042,T2WNLQ(J 2SC6043 2SC6043-AE

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功能描述
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
60MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VESM
标准包装
1

2SC6026MFVGR,L3F 技术参数

2SC6026CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SC6026CTGRTPL3 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SC6024-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA 3SSFP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 10.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:1 2SC6023-TR-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:9.5dB ~ 11dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:4-MCP 标准包装:1 2SC6017-TL-EX 功能描述:TRANS NPN 50V 10A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:360mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:950mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SC6054G0L 2SC6054J0L 2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6081 2SC6082 2SC6082-1E 2SC6082-EPN-1E 2SC6094-TD-E 2SC6095-TD-E 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E 2SC6114T2LQ