2SCR522EBTL全国供应商【买卖IC网】2SCR522EBTL资料|PDF Datasheet|价格 Rohm Semiconductor

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SCR522EBTL
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
647665
ROHM Semiconductor
SOT-416FL-3
22+
-

2SCR522EBTL
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
647665
ROHM Semiconductor
SOT-416FL-3
22+
-

2SCR522EBTL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

2SCR522EBTL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12240
ROHM SEMI
1521+
-
全新原装现货

2SCR522EBTL
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1856
ROHM
2013
-
公司现货!只做原装!

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1

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功能描述
TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F
制造商
rohm semiconductor
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
20V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
120 @ 1mA，2V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
400MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-89，SOT-490
供应商器件封装
EMT3F
标准包装
1

2SCR522EBTL 技术参数

2SCR514RTL 功能描述:TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SCR514PT100 功能描述:TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR514PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR514P5T100 功能描述:NPN 80V 700MA MEDIUM POWER TRANS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR513PT100 功能描述:TRANS NPN 50V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:360MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SCR542PFRAT100 2SCR542PT100 2SCR543DTL 2SCR543RTL 2SCR544P5T100 2SCR544PFRAT100 2SCR544PT100 2SCR544RTL 2SCR552P5T100 2SCR552PFRAT100 2SCR552PT100 2SCR553P5T100 2SCR553PFRAT100 2SCR553PT100 2SCR554P5T100 2SCR554PFRAT100 2SCR554PT100 2SCR554RTL

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