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2SCR533PFRA

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  • 2SCR533PFRAT100
    2SCR533PFRAT100

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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

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  • 晶体管

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

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2SCR533PFRA 技术参数
  • 2SCR533P5T100 功能描述:NPN 50V 3A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR523V1T2L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VML 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件状态:Not Recommended For New Designs 标准包装:8,000 2SCR523UBTL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SCR523MT2L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SCR523EBTL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SCR544RTL 2SCR552P5T100 2SCR552PFRAT100 2SCR552PT100 2SCR553P5T100 2SCR553PFRAT100 2SCR553PT100 2SCR554P5T100 2SCR554PFRAT100 2SCR554PT100 2SCR554RTL 2SCR572D3TL1 2SCR573D3TL1 2SCR574D3TL1 2SCR574DGTL 2SCR586D3TL1 2SD05920RA 2SD0592ARA
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