配单专家企业名单

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封装
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价格
说明
操作

2SJ355-T1-AZ
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
NEC
SOT-89
22+
-
全新原装现货供应

2SJ355-T1-AZ
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
NEC
SOT-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SJ355-T1-AZ
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1000
RENESAS
SOT-89
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

2SJ355-T1-AZ
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9733
NEC
SOT89
10PB
-
绝对公司原装现货

2SJ355-T1-AZ
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
93808
Renesas Electronics Ameri
TO-243AA
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SJ355-T1-AZ
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
700
RENESAS
SOT89
10+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

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制造商
Renesas Electronics
功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R Cut Tape
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
制造商
Renesas
功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R

2SJ355-T1-AZ 技术参数

2SJ305TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4欧姆 @ 50mA，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:92pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SJ304(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2欧姆 @ 50mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:160V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 标准包装:1 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ