2SK209-BL(TE85L,F)全国供应商【买卖IC网】2SK209-BL(TE85L,F)资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

2SK209-BL(TE85L,F)
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
TOSHIBA(东芝)
SC-59
2025+
-

2SK209-BL(TE85L,F)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SK209-BL(TE85L,F)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SK209-BL(TE85L,F)
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
12000
TOSHIBA(非存储器)
晶体管
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

2SK209-BL(TE85L,F)
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
4374
Toshiba Semiconductor and
TO-236-3, SC-59, SOT
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SK209-BL(TE85L,F)
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

2SK209-BL(TE85L,F)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2381
TOSHIBA
2013
-
公司现货!只做原装!

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1

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功能描述
JFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2SK209-BL(TE85L,F) 技术参数

2SK2095N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:95 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SK2094TL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK208-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-R(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-O(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:600μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS