配单专家企业名单

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说明
操作

2SK3569(STA4,X,S)
优势
深圳市远晨电子有限公司
深圳市远晨电子有限公司
联系人：周小姐/詹小姐
电话：0755-839722581341006000718138206816
地址：深圳市福田区振兴西路101号华匀大厦1栋401室
资质：营业执照
16806
TOSHIBA
19+
-
主营原装正品代理现货库存大量长期供应83...

2SK3569(STA4,X,S)
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
TOSHIBA(东芝)
SC-67
2025+
-

2SK3569(STA4,X,S)
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
100
TOSHIBA
NA
25+
-
现货！就到京北通宇商城

2SK3569(STA4,X,S)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SK3569(STA4,X,S)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

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2SK3569(STA4,X,S) PDF下载

制造商
Toshiba
功能描述
TRANSISTOR

2SK3569(STA4,X,S) 技术参数

2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.4 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:200mW 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747