2SK3793-AZ全国供应商【买卖IC网】2SK3793-AZ资料|PDF Datasheet|价格

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2SK3793-AZ
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
436902
RENESAS
con
24+
-

2SK3793-AZ
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
436902
RENESAS
con
24+
-

2SK3793-AZ
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
436902
RENESAS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

2SK3793-AZ
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Renesas
MP-45FTO-220
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

2SK3793-AZ
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
42955
Renesas Electronics Ameri
TO-220-3 Isolated Ta
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

2SK3793-AZ 技术参数

2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:470MHz 增益:12dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:32dBm 电压 - 额定:7.5V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3748-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-94 供应商器件封装:TO-3PF-3 标准包装:30 2SK3748 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PML 标准包装:100 2SK3747-MG8 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PML 标准包装:25 2SK3747-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-94 供应商器件封装:TO-3PF-3 标准包装:30 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q)

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