配单专家企业名单

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说明
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2SK880GRTE85LF
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
Toshiba
SOT-323-3
2025+
-

2SK880GRTE85L
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
6500
TOSHIBA
原厂原装
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

2SK880GR(TE85R_F)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
SOT-323
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK880GRTE85LF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

2SK880GRTE85L
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
tosh
标准封装
13+
-

2SK880GRTE85L
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
tosh
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

2SK880GRTE85LF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
28280
TOSHIBA
1521+
-
全新原装现货

2SK880GRTE85LF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
53391
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SC-70

2SK880GR 技术参数

2SK880-BL(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-GR(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12

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