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71T75602S100PFG

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

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  • 17223

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  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • 18M (512KX36) 2.5V CORE ZBT SRAM
  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 100-Pin TQFP Tube/Tray
71T75602S100PFG 技术参数
  • 71T75602S100BGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 119-Pin BGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V 18MBIT 512KX36 5NS 119BGA - Tape and Reel 71T75602S100BGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 119-Pin BGA Tube/Tray 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 119-Pin BGA Tray 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V 18MBIT 512KX36 5NS 119BGA - Rail/Tube 71T75602S100BGGI8 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71T75602S100BGGI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71T75602S100BGG8 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71T75602S133PFG8 71T75602S133PFGI 71T75602S133PFGI8 71T75602S150BG 71T75602S150BG8 71T75602S150BGG 71T75602S150BGG8 71T75602S150BGGI 71T75602S150BGGI8 71T75602S150BGI 71T75602S150BGI8 71T75602S150PFG 71T75602S150PFG8 71T75602S150PFGI 71T75602S150PFGI8 71T75602S166BG 71T75602S166BG8 71T75602S166BGG
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