71V424L10YI

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71V424L10YI
深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
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深圳市芯脉实业有限公司
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制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
4MBIT SRAM CHIP ASYNC SINGLE 3.3V 512K X 8 10NS 36-PIN SOJ - Trays
制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
IDT 71V424L10YI, 4MBit SRAM Chip Async Single 3.3V 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tray

71V424L10YI 技术参数

71V424L10YGI8 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L10YGI 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L10YG8 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L10YG 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L10PHGI8 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L15PHG8 71V424L15PHGI 71V424L15PHGI8 71V424L15YG 71V424L15YG8 71V424L15YGI 71V424L15YGI8 71V424S10PHG 71V424S10PHG8 71V424S10PHGI 71V424S10PHGI8 71V424S10YG 71V424S10YG8 71V424S10YGI 71V424S10YGI8 71V424S12PHG 71V424S12PHG8 71V424S12PHGI