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74SSTUBH32868ABKG

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  • 深圳市深科创科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • Registered Buffer Single 28-CH CMOS 176-Pin CABGA Tray
  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • DDR2 - 800 REGISTER - Rail/Tube
  • 制造商
  • IDT
  • 功能描述
  • IDT 74SSTUBH32868ABKG Register/Registered Buffer
74SSTUBH32868ABKG 技术参数
  • 74SSTUBF32869ABKG8 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube 74SSTUBF32869ABKG 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube 74SSTUBF32868ABKG8 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube 74SSTUBF32868ABKG 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube 74SSTUBF32866BBFG8 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube 74SSTVF16859NLG 74SSTVF16859NLG8 74SSTVF16859PAG 74SSTVF16859PAG8 74SSTVF32852ZKFR 74TVC16222ADGGRG4 74V1G00CTR 74V1G00STR 74V1G02STR 74V1G03STR 74V1G04CTR 74V1G04STR 74V1G05STR 74V1G07STR 74V1G08CTR 74V1G08STR 74V1G125CTR 74V1G125STR
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