9DB403EGILF

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9DB403EGILF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
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制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
IDT 9DB403EGILF General Purpose Semiconductors

9DB403EGILF 技术参数

9DB403DGLFT 功能描述:时钟缓冲器 4 OUTPUT PCIE GEN1 BUFFER RoHS:否制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel 9DB403DGLF 功能描述:时钟缓冲器 4 OUTPUT PCIE GEN1 BUFFER RoHS:否制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel 9DB403DGILFT 功能描述:时钟缓冲器 4 OUTPUT PCIE GEN1 BUFFER RoHS:否制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel 9DB403DGILF 功能描述:时钟缓冲器 4 OUTPUT PCIE GEN1 BUFFER RoHS:否制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel 9DB403DFLFT 功能描述:时钟缓冲器 4 OUTPUT PCIE GEN1 BUFFER RoHS:否制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel 9DB433AGILFT 9DB433AGLF 9DB433AGLFT 9DB633AFILF 9DB633AFILFT 9DB633AFLF 9DB633AFLFT 9DB633AGILF 9DB633AGILFT 9DB633AGLF 9DB633AGLFT 9DB801BFLF 9DB801BFLFT 9DB801BGLF 9DB801BGLFT 9DB801CFLF 9DB801CGLF 9DB801CGLFT