配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOGF20D65L1L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3PF-3
25+
-
国产品牌，替代进口

AOG-CAPSA-0340210
深圳市中天誉诚科技有限公司
深圳市中天誉诚科技有限公司
联系人：谢慈兵
电话：18942334642
地址：广东省深圳市宝安区西乡街道固戍社区东财工业区6号大院E栋6楼601室
15000
连接器
25+
-
原装正品询价QQ546085041

AOG8
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
TI
SOT23-6
最新批次
-
百分百原装质量保障

AOGD-300
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
72400
IDEC
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

AOGD301N-B
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
29450
IDEC
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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AOG 技术参数

AO-FME-SMA 功能描述:ANTENNA ADAPTER REDUCTION FME-F 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件状态:在售配件类型:适配器配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 AO-FMEM-SMAM 功能描述:ANTENNA ADAPTER REDUCTION FME-M 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件状态:在售配件类型:适配器配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 AOE6936 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A, 10V, 2 毫欧 @ 20A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA，2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 39W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AOE6932 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A, 10V, 1.4 毫欧 @ 20A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 52W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AOE6930 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A, 10V, 0.83 毫欧 @ 30A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146 AOI418 AOI4184 AOI4185