AON7202全国供应商【买卖IC网】AON7202资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON7202
优势
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：王金英
电话：077-8326952815602945519
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
qfn8
ao
1205+
-
★★诚信经营，原盒原装现货库存商★★

AON7202
优势
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
15000
qfn8
ao
1205+
-
★★诚信经营，原盒原装现货库存商★★

AON7202
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
336000
AOS
DFN3x3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON7202
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
AO
QFN8
24+
-
全新原装正品现货热卖

AON7202
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ALPHA
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON7202
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
2012+
8000
新批次
-
只做原装假一赔十

AON7202
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
20000
AOS
QFN-83X3
20+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

AON7202
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO/万代
DFN-83.33
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

AON7202
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
AOS
近两年生产
8-PowerVDF
-
每一片都来自原厂

AON7202
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
300000
AOS
DFN3X3
2013+
-
全新原装现货

AON7202
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN3x3
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AON7202
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
140730
AO
DFN
13+
-
原装现货/特价

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功能描述
MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AON7202 技术参数

AON7200L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.8A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7200_102 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.8A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），62W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:5,000 AON7200_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.8A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），62W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:5,000 AON7200 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.8A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7140 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3350pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:46W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）封装/外壳:8-PowerWDFN 标准包装:3,000 AON7246 AON7246_101 AON7246E AON7254 AON7262E AON7264E AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101 AON7400AL_102 AON7400AL_103 AON7400B