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AON9

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

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  • AON9028GE
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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

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  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

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    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

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AON9 技术参数
  • AON7934 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A,15A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.2 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):485pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3) 标准包装:1 AON7932_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.6A,8.1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.6A,8.1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3) 标准包装:1 AON7902 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A,13A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:5,000 AON7900 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A,13A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:1 AORN10-1AT5 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L
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