AOV252G

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AOV252G
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9133
NAIS
DIP6
05+
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绝对公司原装现货

AOV252G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
135
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DIP6
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AOV252G 技术参数

AOV20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1038pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-VSFN 裸露焊盘供应商器件封装:4-DFN-EP（8x8）标准包装:1 AOV15S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:520mA（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:717pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-VSFN 裸露焊盘供应商器件封装:4-DFN-EP（8x8）标准包装:1 AOV11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA（Ta），8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-VSFN 裸露焊盘供应商器件封装:4-DFN-EP（8x8）标准包装:1 AOU7S65 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:4,000 AOU7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:80 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500 AOW2502 AOW25S65 AOW284 AOW290 AOW2918 AOW292 AOW296 AOW298 AOW29S50 AOW418 AOW-4542P-B-R