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APL78L05DC-TRG
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
ANPEC
SOT-89
22+
-
全新原装现货供应

APL78L05DC-TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
茂达
SOT-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

APL78L05DC-TRG
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13850
APM
SOT-89
23+
-
全新原装正品现货热卖

APL78L05DC-TRG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66880
ANPEC
SOT89
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

APL78L05DC-TRG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66888
APM
SOT-89
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

APL78L05DC-TR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
茂达
SOT-89
07+
-
全新原装100%正品保证质量

APL78L05DC-TR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
ANPEC
SOT89
15+
-
原装正品，假一罚十

APL78L05DC-TR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
茂达
SOT-89
07+
-
全新原装100%正品保证质量

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APL78L05DC-TR 技术参数

APL602LG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 24.5A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APL602J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 21.5A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APL602B2G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 24.5A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 29A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:730W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:52A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 26A，12V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APLIT415 APLKJIC APLKJIC6SS APLPT400 APLPT410 APLPT500 APLPT510 APLPV400 APLPV401 APLPV410 APLPV411 APLR0600 APLR0610 APLR0630 APLRI600 APLRI610 APLRI630 APLSP3A0

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