APT100GT120JRDL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT100GT120JRDLMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

APT100GT120JRDL
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT100GT120JRDL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1665
MICROSE
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APT100GT120JRDQ4 APT100GT120JU2 APT100GT120JU3 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG

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功能描述
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APT100GT120JRDL 技术参数

APT100GT120JR 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100GN60LDQ4G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:229A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，100A 功率 - 最大值:625W 开关能量:4.75mJ（开）， 2.675mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:600nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/310ns 测试条件:400V，100A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT100GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:229A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，100A 功率 - 最大值:625W 开关能量:4.7mJ（开）， 2.675mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:600nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/310ns 测试条件:400V，100A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT100GN120JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:153A 功率 - 最大值:446W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:153A 功率 - 最大值:446W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B