APT15GP90BG全国供应商 APT15GP90BG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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APT15GP90BG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
APT
TO-247
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

APT15GP90BG
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT15GP90BG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APT15GP90BG
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Microsemi Power Products
【★★一级代理商,功率器件专家!全新原装
2010+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT15GP90BG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 900V 43A 250W TO247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
POWER MOS 7®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT15GP90BG 技术参数

APT15GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:43A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:200μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/33ns 测试条件:600V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），120μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK APT1608SECK/J3-PRV APT1608SECK/J4-PRV

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