APT25GR120S全国供应商 APT25GR120S资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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封装
批号
价格
说明
操作

APT25GR120S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-268
25+
-
国产品牌，替代进口

APT25GR120S
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT25GR120S
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
52
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT25GR120SSCD10
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
49243
Microsemi Corporation
TO-268-3, D鲁Pak (2 L
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT25GR120S
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APT25GR120S
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
140
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT25GR120SD15
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT25GR120S 技术参数

APT25GR120BSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:434μJ（开），466μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:742μJ（开），427μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 开关能量:742μJ（开），427μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:203nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:72A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 开关能量:370μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:600V，25A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT25GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:72A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 开关能量:370μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:600V，40A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J

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