APT26M100JCU2全国供应商 APT26M100JCU2资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT26M100JCU2
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯专营优势产品

APT26M100JCU2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT26M100JCU2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
273522
MICROCHIP
con
24+
-

APT26M100JCU2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
273522
MICROCHIP
con
24+
-

APT26M100JCU2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
273522
MICROCHIP
con
24+
-
优势库存，原装正品

APT26M100JCU2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
273522
MICROCHIP
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

APT26M100JCU2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
273522
MICROCHIP
con
24+
-
优势库存，原装正品

APT26M100JCU2
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT26M100JCU2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APT26M100JCU2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5
MICROSEMI
散装
1521+
-
全新原装现货

APT26M100JCU2
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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功能描述
MOSFET N CH 1000V 26A SIC SOT227
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
POWER MOS 8™
标准包装
10
系列
*

APT26M100JCU2 技术参数

APT26F120L 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT26F120B2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:1 APT25SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:* 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT25SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J APT2X101DL40J

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