APT30GS60BRDQ2G全国供应商 APT30GS60BRDQ2G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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说明
操作

APT30GS60BRDQ2G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT30GS60BRDQ2G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
55
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT30GS60BRDQ2G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
15580
Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APT30GS60BRDQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APT30GS60BRDQ2G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
175
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT 600V 54A 250W SOT227
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
Thunderbolt IGBT®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT30GS60BRDQ2G 技术参数

APT30GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 54A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 开关能量:570μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:145nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/360ns 测试条件:400V，30A，9.1 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ（开），250μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V，30A，5 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ（开），250μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V，30A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 开关能量:260μJ（开），250μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V，30A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC

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