APT50GN120B2G全国供应商 APT50GN120B2G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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操作

APT50GN120B2G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
19
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT50GN120B2G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯专营优势产品

APT50GN120B2G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
972358
Microchip
22+
-

APT50GN120B2G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
972358
Microchip
22+
-

APT50GN120B2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APT50GN120B2G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
95
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT50GN120B2G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
50
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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功能描述
IGBT 1200V 134A 543W TO-247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
-
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT50GN120B2G 技术参数

APT50GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.25nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.25nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GF120LRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ（开）， 2.64mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:340nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/260ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:521W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.32nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL

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