APT56F60L全国供应商 APT56F60L资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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说明
操作

APT56F60L
优势
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
TO-264/TO-3PL
2025+
-
国产品牌，可替代原装

APT56F60L
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT56F60L
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
25
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APT56F60L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
APT
TO-264L
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT56F60L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
19875
APT/ MICROSEMI
Standard
2024+
-
代理商库房现货

APT56F60L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
65
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT56F60L
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
47570
APT
TO-264L
咨询
-
库存每天变动，最好QQ咨询

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
POWER MOS 8™
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

APT56F60L 技术参数

APT56F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT56F50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT56F50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT55M65JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:550V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:63A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 31.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:205nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9165pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT55M50JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:550V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:77A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 38.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:265nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12400pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG

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