APT60GT120JRD,APT60GT60JRD

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APT60GT120JRD,APT60GT60JRD 技术参数

APT60GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:80μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.59nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 功率 - 最大值:378W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:80μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.59nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 149A 625W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:149A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.08nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60GA60JD60 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:356W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 电流 - 集电极截止（最大值）:275μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.01nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60DS20HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 200V 90A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相，碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:200V 电流 - DC 正向（If）:90A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT60M75L2LLG APT60M80JVR APT60M80L2VRG APT60N60BCSG APT60N60SCSG APT60N60SCSG/TR APT60S20B2CTG APT60S20BG APT60S20SG APT60S20SG/TR APT64GA90B APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L