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APT60M80L2VFRG

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  • APT60M80L2VFRG
    APT60M80L2VFRG

    APT60M80L2VFRG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • 264MAXL2

  • 最新批号

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube
APT60M80L2VFRG 技术参数
  • APT60M80JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):870nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14500pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60M75L2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):73A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 36.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:264 MAX? [L2] 标准包装:1 APT60M75L2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):73A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 36.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:264 MAX? [L2] 标准包装:1 APT60M75JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):62A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1050nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT60M75JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):62A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 31A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1050nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B
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