APT70GR120B2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT70GR120B2
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT70GR120B2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247,T-Max
25+
-
国产品牌，替代进口

APT70GR120B2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Microsemi
TO247
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT70GR120B2
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
30
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S

APT70GR120B2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT70GR120B2 PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 1200V 160A 961W TO247
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT70GR120B2 技术参数

APT6M100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1410pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT68GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:121A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 开关能量:715μJ（开），607μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/133ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT68GA60B2D40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:121A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 开关能量:715μJ（开），607μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/133ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT68GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:121A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 开关能量:715μJ（开），607μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:298nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/133ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT66M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J