APT75DL120HJ

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT75DL120HJ
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
MICROSEMI/美高森美
SOT-227-4
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT75DL120HJ
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯专营优势产品

APT75DL120HJ
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
ISOTOP，SOT-227
25+
-
国产品牌，替代进口

APT75DL120HJ
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
69800
MICROSEMI
SOT-227-4
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

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1

您是不是要找： APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
RECTIFIER MODULE - STANDARD RECOVERY

APT75DL120HJ 技术参数

APT75DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 75A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1700V 电流 - DC 正向（If）:75A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 32.5A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 32.5A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:165W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 32.5A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:125nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 开关能量:* 输入类型:* 栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/170ns 测试条件:433V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B