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APTB1612CGKQWDF

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操作

APTB1612CGKQWDF
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
68051
Kingbright
0605 (1611 metric)
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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功能描述
标准LED-SMD Grn/White 55/220mcd 570nm 120 Deg
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
封装 / 箱体
0402
LED 大小
1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm
照明颜色
Red
波长/色温
631 nm
透镜颜色/类型
Water Clear
正向电流
30 mA
正向电压
2 V
光强度
54 mcd
显示角
130 deg
系列
VLMx1500
封装
Reel

APTB1612CGKQWDF 技术参数

APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:97A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 48.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:上次购买时间 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):380A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:446W 开关能量:* 输入类型:标准栅极电荷:420nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/226ns 测试条件:433V，95A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 安装类型:底座安装供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:208A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):400A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:892W 开关能量:3.12mJ（开），2.55mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:420nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/226ns 测试条件:433V，95A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G