APTD1608CGCK

配单专家企业名单

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说明
操作

APTD1608CGCK
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
64000
KINGBRIGHT
603
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

APTD1608CGCK
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
kingbright
LED
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

APTD1608CGCK
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8977
KINGBRIG
LED
12+
-
绝对公司原装现货

APTD1608CGCK
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
5000
N/A
N/A
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

APTD1608CGCK
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
24000
KINGBRIGHT COMPANY, LLC
价格优势
2446
-
全新原装渠道现货

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功能描述
标准LED-SMD SMD Green 570nm 230mcd
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
封装 / 箱体
0402
LED 大小
1 mm x 0.5 mm x 0.35 mm
照明颜色
Red
波长/色温
631 nm
透镜颜色/类型
Water Clear
正向电流
30 mA
正向电压
2 V
光强度
54 mcd
显示角
130 deg
系列
VLMx1500
封装
Reel

APTD1608CGCK 技术参数

APTCV90TL12T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器 - IGBT，FET 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM99T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器 - IGBT，FET 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM70T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:100 APTCV60TLM45T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT3 SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器 - IGBT，FET 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTCV60TLM24T3G 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:100 APTD1608QBC/D APTD1608SEC/J3 APTD1608SECK APTD1608SECK/J3-PF APTD1608SECK/J4-PF APTD1608SURCK APTD1608SYC/J3 APTD1608SYCK APTD1608SYCK/J3-PF APTD1608VBC/D APTD1608ZGC APTD1608ZGCK APTD2012LCGCK APTD2012LQBC/D APTD2012LSURCK APTD2012LSYCK APTD2012LVBC/D APTD2012LZGCK