APTGF100DU120TG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF100DU120TG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
8539
Microsemi Corporation
SP4
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APTGF100DU120TG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF100DU120TG
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

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功能描述
IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF100DU120TG 技术参数

APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 130A 735W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:735W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF100A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100A120T3WG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 130A 657W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:657W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF100A120T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 130A 780W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:780W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF150SK120TG APTGF15A120T1G APTGF15H120T1G APTGF15H120T3G APTGF15X120T3G APTGF165A60D1G APTGF165DA60D1G APTGF165SK60D1G APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG