APTGF150DU120TG

配单专家企业名单

型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF150DU120TG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
14993
Microsemi Corporation
SP4
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APTGF150DU120TG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
MICROSEMI POWER PRODUCTS
标准封装
2010+
-
全新原装100%正品保证质量

APTGF150DU120TG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF150DU120TG 技术参数

APTGF150DH120G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF150A60T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 833W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF150A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 961W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G