APTGF150H120G全国供应商 APTGF150H120G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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批号
价格
说明
操作

APTGF150H120G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTGF150H120G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
MICROSEMI
Standa..
24+
-
全新原装正品现货热卖

APTGF150H120G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3595
MICROSE
1521+
-
全新原装现货

APTGF150H120G
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
239
MICROSE
-
原装现货/特价

APTGF150H120G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

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功能描述
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF150H120G 技术参数

APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF150DH120G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF150A60T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 833W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF150A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G

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