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APTGLQ100HR120T3G

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APTGLQ100HR120T3G 技术参数

APTGLQ100H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ100DA120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ100A65T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ100A120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGLQ100A120T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 185A 650W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:185A 功率 - 最大值:650W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:通孔封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G