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APTGT100TA60PG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

APTGT100TA60PG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
8252
Microsemi Corporation
SP6
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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功能描述
IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT100TA60PG 技术参数

APTGT100TA120TPG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 140A 480W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT100SK60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 150A 340W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100SK60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 150A 340W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100SK170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:560W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 200A 695W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:695W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150A170G APTGT150A60T1G APTGT150A60T3AG APTGT150A60TG APTGT150DA120D1G APTGT150DA120G APTGT150DA120TG APTGT150DA170D1G APTGT150DA170G APTGT150DA60T1G APTGT150DA60TG APTGT150DH120G APTGT150DH170G APTGT150DH60TG APTGT150DU120G APTGT150DU120TG APTGT150DU170G APTGT150DU60TG