APTGV50H60BT3G

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APTGV50H60BT3G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
MICROSEMI
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APTGV50H60BT3G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
89443
Microsemi Corporation
SP3
25+
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全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APTGV50H60BT3G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
39588
Microsemi Corporation
SP3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

APTGV50H60BT3G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
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Microchip / Microsemi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - IGBT - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD IGBT NPT 600V SP3
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET TRANSISTOR

APTGV50H60BT3G 技术参数

APTGV50H60BG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:升压斩波器，全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV50H120BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 75A 270W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:升压斩波器，全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK APTL3216SYCK APTL3216SYCK01 APTL3216ZGC APTL3216ZGCK APTLGF300A1208G APTLGF350A608G