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APTM10TDUM19PG

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APTM10TDUM19PG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
26834
Microsemi Corporation
SP6
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G

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功能描述
MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM10TDUM19PG 技术参数

APTM10TDUM09PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:139A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM10TAM19FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM10TAM09FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:139A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:350nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM10SKM05TG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:278A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:700nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM10SKM02G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:495A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 200A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM120DA29TG APTM120DA30CT1G APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G APTM120DA68T1G APTM120DDA57T3G APTM120DSK57T3G APTM120DU15G APTM120DU29TG APTM120H140FT1G APTM120H29FG APTM120H57FT3G APTM120H57FTG APTM120SK15G APTM120SK29TG APTM120SK56T1G APTM120SK68T1G APTM120TA57FPG