APTM50HM75SCTG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM50HM75SCTG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯专营优势产品

APTM50HM75SCTG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
672493
Microchip
22+
-

APTM50HM75SCTG
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
672493
Microchip
22+
-

APTM50HM75SCTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
MOSFET MOD FULL BRDG SER/SIC SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM50HM75SCTG 技术参数

APTM50HM75FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50HM75FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM50HM65FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50HM65FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM50HM38FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG